美光近日宣布，旗下3d立体堆叠的nand闪存在产量输出上已经首次超越传统的2d平面型闪存，标志着一个新时代的到来。值得一提的是，美光这里说的产量并非晶圆数量，而是闪存容量。美光2d mlctlc闪存使用16nm工艺，单颗最大容量128gb(16gb)，3d mlctlc则分别可达256384gb(3248gb)，很容易超越前者。3d闪存并非简单的堆叠，而是使用了完全不同的工艺技术，所以对于厂商的产能调控能力考验很大。三星、海力士、东芝等也都一直在大力投入3d闪存，尤其是作为领头羊的三星非常激进。如今市面上的主流ssd基本都已经转换到3d闪存，大势所趋不可逆转。采用usb3.0传输方式的移动硬盘，连接笔记本时可以达到快速传输资料的目的。如果你经常出差，需要携带一些重要的数据，2tb存储空间足够装大量资料。
美光同时宣布，其第二代3d闪存也即将量产，新加坡工厂将在2016年夏天产出首批晶圆，成本比第一代降低超过30％，比2d平面型降低几乎一半。